Радиоэлектроника скачать реферат

[ книги ] [ рефераты ] [ тесты ] [ ридеры ] [ регистрация ] [ вход ]
[ новинки книг ] [ категории книг ] [ правила ]

Определение параметров p-n перехода скачать реферат

1. Исходные данные

3

2. Анализ исходных данных

3


3. Расчет физических параметров p- и n- областей


3

а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны 3

б) собственная концентрация 3
в) положение уровня Ферми 3
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда 4
д) удельные электропроводности p- и n- областей 4
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок 4
ж) диффузионные длины электронов и дырок 4


4. Расчет параметров p-n перехода


4

a) величина равновесного потенциального барьера 4
б) контактная разность потенциалов 4
в) ширина ОПЗ 5
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении 5
д) тепловой обратный ток перехода 5
е) график ВФХ 5
ж) график ВАХ 6, 7

5. Вывод

7

6. Литература

8


1. Исходные данные

1) материал полупроводника – GaAs

2) тип p-n переход – резкий и несимметричный

3) тепловой обратный ток () – 0,1 мкА

4) барьерная ёмкость () – 1 пФ

5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1 мм2

6) физические свойства полупроводника







Ширина запрещенной зоны, эВ


Подвижность при 300К, м2/В×с
Эффективная масса

Время жизни носителей заряда, с
Относительная диэлектрическая проницаемость


электронов Дырок

электрона mn/me


дырки mp/me



























1,42-8


0,85-8


0,04-8


0,067-8


0,082-8


10-8


13,1-8






2. Анализ исходных данных

1. Материал легирующих примесей:

а) S (сера) элемент VIA группы (не Me)

б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me)

2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -3

3. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована)

4. – ширина запрещенной зоны

5. , – подвижность электронов и дырок

6. , – эффективная масса электрона и дырки

7. – время жизни носителей заряда

8. – относительная диэлектрическая проницаемость

3. Расчет физических параметров p- и n- областей

а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны

б) собственная концентрация

в) положение уровня Ферми

(рис. 1)

(рис. 2)


Eg


X


Ei


Ec


Ev


EF



Eg


EF


Ei


Ec


Ev


X

(рис. 1) (рис. 2)
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда



д) удельные электропроводности p- и n- областей

е) коэффициенты диффузий электронов и дырок

ж) диффузионные длины электронов и дырок



4. Расчет параметров p-n перехода

a) величина равновесного потенциального барьера



б) контактная разность потенциалов

в) ширина ОПЗ (переход несимметричный à )

г) барьерная ёмкость при нулевом смещении

д) тепловой обратный ток перехода

е) график ВФХ


– общий вид функции для построения ВФХ


ж) график ВАХ

– общий вид функции для построения ВАХ



Ветвь обратного теплового тока (масштаб)






Ветвь прямого тока (масштаб)

Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам:

- величина равновесного потенциального барьера () равна , что соответствует условию >0,7эВ



- барьерная емкость при нулевом смещении () равна 1,0112пФ т.е. соответствует заданному ( 1пФ )

- значение обратного теплового тока () равно 1,92×10-16А т.е. много меньше заданного ( 0,1мкА )

Литература:

1. Шадский В. А. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники»

2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу «ФОМ». Москва, 1996 г.

3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. Москва, «Советское радио», 1971 г.

Добавлен: 07.01.2012, 03:39 [ Скачать с сервера (136.0Kb) ]
Категория: Радиоэлектроника | Добавил: Lakomka
Просмотров: 1029 | Загрузок: 159
Рейтинг: 0.0/0

форма входа

Логин:
Пароль:

объявления

Перед вами новое уникальное издание Валерия Синельникова. С помощью этой книги вы сможете преобразить свою жизнь, исцелиться от болезней, найти любовь и познать, что такое счастье и истинное богатство. Учебник научит вас быть внимательным к самому себе и окружающему миру, слышать и понимать подсказки Вселенной, управлять собственной судьбой, быть Х...
...Со времени апокалипсиса минуло ни много ни мало более семидесяти лет. События 2012-го обросли легендами. Жизнь вошла в свою колею: каждый поселок – крепость, каждый город – государство, сражающееся с соседями за сферы влияния и ресурсы. Обычный житель города Мурома, вольный стрелок Стас, давно не верит ни в легенды, ни в чудеса, он верит только ...
Мир далекого будущего… Мир, в котором человечество пережило восстание машин и встретилось с братьями по разуму. Мир, в котором три расы вынуждены вступить в жесткую конкуренцию за место под звездами, готовясь развязать войну, равной которой еще не было. Мир, в котором возникла раса генетически улучшенных людей, а машина времени может быть использов...
Образование солнечных систем (извлечение из большой рукописи 1924-1925 года.Ноябрь 1925 года) и споры о причине космоса
К.Э. Циолковский
Жанр:
Старинная литература: прочее
Правообладатель: Библиотечный фонд
Дата выхода: 1925

объявления

Азот

[Химия] - скачать

Создание психотропных препаратов

[Медицина] - скачать

Характеристика программы Geocad System

[Геодезия, геология] - скачать

Основы теории измерений

[Физкультура и Спорт] - скачать

Жесткость воды

[Химия] - скачать