Радиоэлектроника скачать реферат

[ книги ] [ рефераты ] [ тесты ] [ ридеры ] [ регистрация ] [ вход ]
[ новинки книг ] [ категории книг ] [ правила ]

Расчет параметров ступенчатого p-n перехода скачать реферат

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ

Студент: Сенаторов Д.Г. группа 3–4
Тема: «Расчет параметров ступенчатого p-n перехода»
Задание: Рассчитать контактную разность потенциалов k в p-n-переходе.
Исходные данные для расчета приведены в таблице №1.
Таблица 1. Исходные данные.
Наименование параметра Единицы измерения. Условное обозначение Значение в единицах системы СИ
Абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере м-3 NЭ 1,5 1025
Абсолютная величина результирующей примеси в базе м-3 NБ 1,8 1022
Диэлектрическая постоянная воздуха Ф/м 0 8,85 10-12
Заряд электрона Кл e 1,6 10-19
Относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника Ф/м  16
Постоянная Больцмана Дж/К k 1,38 10-23
Равновесная концентрация дырок в n-области м-3 pn0 1010
Равновесная концентрация дырок в p-области м-3 np0 1,1 109
Собственная концентрация носителей заряда м-3 ni 5 1014
Температура окружающей среды K T 290

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ 4.
ЧАСТЬ I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 6.
1.1 Понятие о p-n переходе 6.
1.2 Структура p-n перехода 10.
1.3 Методы создания p-n переходов 15.
1.3.1 Точечные переходы 15.
1.3.2 Сплавные переходы 16.
1.3.3 Диффузионные переходы 17.
1.3.4 Эпитаксиальные переходы 18.
1.4 Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном
состоянии 20.
1.5 Токи через p-n переход в равновесном состоянии 23.
1.6 Методика расчета параметров p-n перехода 26.
1.7 Расчет параметров ступенчатого p-n перехода 29.
ЧАСТЬ II. Расчет контактной разности потенциалов k в p-n-переходе 31.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 32.
ПРИЛОЖЕНИЕ 33.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 35.

ВВЕДЕНИЕ.

Полупроводники могут находиться в контакте с металлами и некоторыми другими материалами. Наибольший интерес представляет контакт полупроводника с полупроводником. Этот интерес вызван следующими двумя обстоятельствами. В случае контакта метал–полупроводник выпрямляющими свойствами контакта можно управлять с помощью только одной из половин контакта, а именно, со стороны полупроводника. Это видно хотя бы из того факта, что весь запирающий (или антизапирающий ) слой лежит в полупроводниковой области и его толщину, а значит, и ток можно регулировать концентрацией носителей n0, т.е. выбором типа кристалла, легированием полупроводника, температурой, освещением и т.д. Второе обстоятельство заключается в том, что практически поверхности металла и полупроводника никогда не образуют идеального контакта друг с другом. Всегда между ними находятся адсорбированные атомы или ионы посторонних веществ. Адсорбированные слои экранируют внутреннюю часть полупроводника так, что фактически они определяют свойства выпрямляющих контактов или, во всяком случае, существенно влияют на них.

В случае контакта полупроводник–полупроводник, оба недостатка отсутствуют т.к. в большинстве случаев контакт осуществляют в пределах одного монокристалла, в котором половина легирована донорной примесью, другая половина – акцепторной. Существуют и другие технологические методы создания электронно-дырочного перехода, которые будут рассмотрены в данной курсовой работе. Кроме того, целью предпринимаемого исследования является определение основных параметров и характеристик, а также физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода для ответа на основной вопрос данной работы: «Какова ширина p-n-перехода?» при заданных исходных параметрах.
В третьей части данной работы будет предпринята попытка объяснить особенности поведения электрона с учетом спина во внешнем электрическом поле, введено понятие тонкой структуры.

ЧАСТЬ I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ.
1.1 Понятие о p-n переходе.
Основным элементом большой группы полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход. Такой переход представляет собой область между двумя полупроводниками разного типа проводимости, объединенную основными носителями заряда. В зависимости от характера распределения концентрации примеси в объединенном p-n слое переходы бывают ступенчатыми (резкими) и плавным

Добавлен: 09.05.2012, 00:05 [ Скачать с сервера (433.5Kb) ]
Категория: Радиоэлектроника | Добавил: Lakomka
Просмотров: 1183 | Загрузок: 195
Рейтинг: 0.0/0

форма входа

Логин:
Пароль:

объявления

В книге обобщен теоретический, методологический и практический материал, ориентированный на применение в сфере учебной деятельности и рекламном бизнесе.

Особое внимание уделено процессам восприятия, переработки рекламной информации и формирования покупательского поведения под влиянием рекламной кампании. В книге представлены психотехно...
Написанное простым и доступным языком о сложном мире импульсных источников питания, это издание позволит радиолюбителям легко разобраться в схемотехнике и самим стать конструкторами источников питания для собственных задач.
В книге рассматривается принцип действия импульсных источников питания, сравниваются функциональные возможности различн...
Софи Ханна — истинная королева по части запутанности сюжетов и их психологической напряженности. И с каждым романом сюжеты становятся все изощреннее. Хрупкая Рут Басси изо всех сил пытается достичь равновесия в жизни, забыть мрачное прошлое и вновь научиться радоваться. Но есть люди, которые притягивают беды. И Рут как раз из таких. Только-только н...
Вы верите, что на свете существуют волшебники и феи? Вы хотите попасть в Волшебную страну? Элли тоже мечтала об этом. Но когда ужасный ураган поднял в воздух ее маленький домик, она очень испугалась. И хорошо, что рядом оказался верный песик Тотошка.

объявления

Анализ лекарственной формы состава: Rp.: Amidopyrini 0,3 Dibazoli 0,02

[Химия] - скачать

Предрасположенность к злоупотреблению ПАВ

[Медицина] - скачать

Испытания изделий электронной техники

[Радиоэлектроника] - скачать

Архитектор Эммануил Ходжаев (1834-1906)

[Философия] - скачать

Детекторы ионизирующих излучений

[Физика] - скачать