Радиоэлектроника скачать реферат

[ книги ] [ рефераты ] [ тесты ] [ ридеры ] [ регистрация ] [ вход ]
[ новинки книг ] [ категории книг ] [ правила ]

Расчет параметров ступенчатого p-n перехода скачать реферат

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ

Студент: Сенаторов Д.Г. группа 3–4
Тема: «Расчет параметров ступенчатого p-n перехода»
Задание: Рассчитать контактную разность потенциалов k в p-n-переходе.
Исходные данные для расчета приведены в таблице №1.
Таблица 1. Исходные данные.
Наименование параметра Единицы измерения. Условное обозначение Значение в единицах системы СИ
Абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере м-3 NЭ 1,5 1025
Абсолютная величина результирующей примеси в базе м-3 NБ 1,8 1022
Диэлектрическая постоянная воздуха Ф/м 0 8,85 10-12
Заряд электрона Кл e 1,6 10-19
Относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника Ф/м  16
Постоянная Больцмана Дж/К k 1,38 10-23
Равновесная концентрация дырок в n-области м-3 pn0 1010
Равновесная концентрация дырок в p-области м-3 np0 1,1 109
Собственная концентрация носителей заряда м-3 ni 5 1014
Температура окружающей среды K T 290

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ 4.
ЧАСТЬ I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 6.
1.1 Понятие о p-n переходе 6.
1.2 Структура p-n перехода 10.
1.3 Методы создания p-n переходов 15.
1.3.1 Точечные переходы 15.
1.3.2 Сплавные переходы 16.
1.3.3 Диффузионные переходы 17.
1.3.4 Эпитаксиальные переходы 18.
1.4 Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном
состоянии 20.
1.5 Токи через p-n переход в равновесном состоянии 23.
1.6 Методика расчета параметров p-n перехода 26.
1.7 Расчет параметров ступенчатого p-n перехода 29.
ЧАСТЬ II. Расчет контактной разности потенциалов k в p-n-переходе 31.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 32.
ПРИЛОЖЕНИЕ 33.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 35.

ВВЕДЕНИЕ.

Полупроводники могут находиться в контакте с металлами и некоторыми другими материалами. Наибольший интерес представляет контакт полупроводника с полупроводником. Этот интерес вызван следующими двумя обстоятельствами. В случае контакта метал–полупроводник выпрямляющими свойствами контакта можно управлять с помощью только одной из половин контакта, а именно, со стороны полупроводника. Это видно хотя бы из того факта, что весь запирающий (или антизапирающий ) слой лежит в полупроводниковой области и его толщину, а значит, и ток можно регулировать концентрацией носителей n0, т.е. выбором типа кристалла, легированием полупроводника, температурой, освещением и т.д. Второе обстоятельство заключается в том, что практически поверхности металла и полупроводника никогда не образуют идеального контакта друг с другом. Всегда между ними находятся адсорбированные атомы или ионы посторонних веществ. Адсорбированные слои экранируют внутреннюю часть полупроводника так, что фактически они определяют свойства выпрямляющих контактов или, во всяком случае, существенно влияют на них.

В случае контакта полупроводник–полупроводник, оба недостатка отсутствуют т.к. в большинстве случаев контакт осуществляют в пределах одного монокристалла, в котором половина легирована донорной примесью, другая половина – акцепторной. Существуют и другие технологические методы создания электронно-дырочного перехода, которые будут рассмотрены в данной курсовой работе. Кроме того, целью предпринимаемого исследования является определение основных параметров и характеристик, а также физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода для ответа на основной вопрос данной работы: «Какова ширина p-n-перехода?» при заданных исходных параметрах.
В третьей части данной работы будет предпринята попытка объяснить особенности поведения электрона с учетом спина во внешнем электрическом поле, введено понятие тонкой структуры.

ЧАСТЬ I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ.
1.1 Понятие о p-n переходе.
Основным элементом большой группы полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход. Такой переход представляет собой область между двумя полупроводниками разного типа проводимости, объединенную основными носителями заряда. В зависимости от характера распределения концентрации примеси в объединенном p-n слое переходы бывают ступенчатыми (резкими) и плавным

Добавлен: 09.05.2012, 00:05 [ Скачать с сервера (433.5Kb) ]
Категория: Радиоэлектроника | Добавил: Lakomka
Просмотров: 1160 | Загрузок: 193
Рейтинг: 0.0/0

форма входа

Логин:
Пароль:

объявления

Лара была счастлива в браке. Абсолютно и безоблачно счастлива, несмотря на мелкие неприятности, доставляемые свекровью. Лара верила, что рядом с ней – самый близкий, самый родной человек. Тем больнее оказалось внезапное предательство. Тем страшнее то, что знакомый до самых кончиков ногтей муж – чужой, незнакомый ей человек, а она для него – чужая ж...
Теория лжи сейчас на пике популярности, на ней основаны сюжеты многих книг и телесериалов. Книга, которую вы держите в руках, расширяет представления об этой теории. Вы научитесь определять не только то, насколько искренен с вами собеседник, но и понимать его скрытые мотивы, тайные чувства, желания и опасения. 50 правил помогут вам чутко улавливать...
2015 год. Нет на всей Земле державы, способной помериться силой с оплотом свободы и демократии – Соединенными Штатами Америки. Американского солдата можно увидеть на всех континентах, кроме, пожалуй, Антарктиды. И пусть недавняя спецоперация в России обернулась катастрофическим провалом, пусть в Афганистане, кажется, с «джи-ай» воюют даже горы, пус...
Вторая книга автора скандальных бестселлеров русского Интернета. Его первая работа по мастерству соблазнения до сих пор держится в лидерах продаж крупнейших магазинов.

объявления

Источник питания

[Радиоэлектроника] - скачать

Лазер

[Радиоэлектроника] - скачать

Социология семьи

[Социология] - скачать

Анализ показателей прибыльности и безубыточной работы предприятия

[Экономика и Финансы] - скачать

Резерв расходов на ремонт основных средств

[Экономика и Финансы] - скачать