Радиоэлектроника скачать реферат

[ книги ] [ рефераты ] [ тесты ] [ ридеры ] [ регистрация ] [ вход ]
[ новинки книг ] [ категории книг ] [ правила ]

Расчет параметров ступенчатого p-n перехода скачать реферат

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ

Студент: Сенаторов Д.Г. группа 3–4
Тема: «Расчет параметров ступенчатого p-n перехода»
Задание: Рассчитать контактную разность потенциалов k в p-n-переходе.
Исходные данные для расчета приведены в таблице №1.
Таблица 1. Исходные данные.
Наименование параметра Единицы измерения. Условное обозначение Значение в единицах системы СИ
Абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере м-3 NЭ 1,5 1025
Абсолютная величина результирующей примеси в базе м-3 NБ 1,8 1022
Диэлектрическая постоянная воздуха Ф/м 0 8,85 10-12
Заряд электрона Кл e 1,6 10-19
Относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника Ф/м  16
Постоянная Больцмана Дж/К k 1,38 10-23
Равновесная концентрация дырок в n-области м-3 pn0 1010
Равновесная концентрация дырок в p-области м-3 np0 1,1 109
Собственная концентрация носителей заряда м-3 ni 5 1014
Температура окружающей среды K T 290

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ 4.
ЧАСТЬ I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 6.
1.1 Понятие о p-n переходе 6.
1.2 Структура p-n перехода 10.
1.3 Методы создания p-n переходов 15.
1.3.1 Точечные переходы 15.
1.3.2 Сплавные переходы 16.
1.3.3 Диффузионные переходы 17.
1.3.4 Эпитаксиальные переходы 18.
1.4 Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном
состоянии 20.
1.5 Токи через p-n переход в равновесном состоянии 23.
1.6 Методика расчета параметров p-n перехода 26.
1.7 Расчет параметров ступенчатого p-n перехода 29.
ЧАСТЬ II. Расчет контактной разности потенциалов k в p-n-переходе 31.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 32.
ПРИЛОЖЕНИЕ 33.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 35.

ВВЕДЕНИЕ.

Полупроводники могут находиться в контакте с металлами и некоторыми другими материалами. Наибольший интерес представляет контакт полупроводника с полупроводником. Этот интерес вызван следующими двумя обстоятельствами. В случае контакта метал–полупроводник выпрямляющими свойствами контакта можно управлять с помощью только одной из половин контакта, а именно, со стороны полупроводника. Это видно хотя бы из того факта, что весь запирающий (или антизапирающий ) слой лежит в полупроводниковой области и его толщину, а значит, и ток можно регулировать концентрацией носителей n0, т.е. выбором типа кристалла, легированием полупроводника, температурой, освещением и т.д. Второе обстоятельство заключается в том, что практически поверхности металла и полупроводника никогда не образуют идеального контакта друг с другом. Всегда между ними находятся адсорбированные атомы или ионы посторонних веществ. Адсорбированные слои экранируют внутреннюю часть полупроводника так, что фактически они определяют свойства выпрямляющих контактов или, во всяком случае, существенно влияют на них.

В случае контакта полупроводник–полупроводник, оба недостатка отсутствуют т.к. в большинстве случаев контакт осуществляют в пределах одного монокристалла, в котором половина легирована донорной примесью, другая половина – акцепторной. Существуют и другие технологические методы создания электронно-дырочного перехода, которые будут рассмотрены в данной курсовой работе. Кроме того, целью предпринимаемого исследования является определение основных параметров и характеристик, а также физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода для ответа на основной вопрос данной работы: «Какова ширина p-n-перехода?» при заданных исходных параметрах.
В третьей части данной работы будет предпринята попытка объяснить особенности поведения электрона с учетом спина во внешнем электрическом поле, введено понятие тонкой структуры.

ЧАСТЬ I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ.
1.1 Понятие о p-n переходе.
Основным элементом большой группы полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход. Такой переход представляет собой область между двумя полупроводниками разного типа проводимости, объединенную основными носителями заряда. В зависимости от характера распределения концентрации примеси в объединенном p-n слое переходы бывают ступенчатыми (резкими) и плавным

Добавлен: 09.05.2012, 00:05 [ Скачать с сервера (433.5Kb) ]
Категория: Радиоэлектроника | Добавил: Lakomka
Просмотров: 1210 | Загрузок: 195
Рейтинг: 0.0/0

форма входа

Логин:
Пароль:

объявления

В перуанских Андах во время раскопок найдена хрустальная табличка, покрытая древними письменами. Уже первые попытки их расшифровки дают повод предположить, что находка скрывает тайны, от которых зависит судьба людей на планете. Но расшифровать текст полностью ученым не удается - экспедиция гибнет, а плита с записями загадочным образом исчезает. Ана...
В учебнике раскрываются основные понятия, важные теоретические положения современной детской психологии, рассматриваются закономерности развития познавательных психических процессов ребенка, становление ведущих видов деятельности на каждом возрастном этапе. Дается характеристика проблемы готовности ребенка к школе, которая является своеобразным ито...
Учебник В. Л. Васильева, являющийся базовым пособием во всех юридических вузах России, помог многим работникам правоохранительных органов – юристам, адвокатам, следователям, а также юридическим психологам освоить свою профессию. По нему учатся студенты и слушатели курсов и институтов повышения квалификации во многих городах России и СНГ. Новое, шес...
«Тайны Адама и Евы» – это уникальный шанс решить свои проблемы в интимной жизни не выходя из дома. Женщинам и мужчинам, молодым людям и супругам со стажем Андрей Курпатов даст совет и снабдит подходящей случаю эффективной методикой. Еще четыре важных шага к вашей сексуальной гармонии – во втором томе книги!

объявления

БУТАДИЕНОВЫЙ КАУЧУК

[Химия] - скачать

Социология семьи

[Социология] - скачать

Магматические горные породы.

[Геодезия, геология] - скачать

Влияние совместимости родителей на взаимоотношения ребенка в детском коллективе

[Педагогика] - скачать

Финикия

[История] - скачать